Лавинно-пролётный диод схема замещения

лавинно-пролётный диод схема замещения
Elect. Dev., ED-13, № 1 (1966) был целиком посвящен приборам с объемными эффектами и пролетным приборам. Из более поздних сообщений о физике ЛПД читателю можно рекомендовать работы Мисавы [41] и Кэрролла [7]. Новый домен образуется только после того, как мгновенное значение напряжения на диоде превысит пороговое. Поэтому максимальный КПД в режиме с гашением домена оказывается приблизительно в 2,5 раза меньше, чем в режиме с задержкой домена, а оптимальное сопротивление нагрузки приблизительно в 4 раза больше. Следует отметить, что допустимый уровень СВЧ источника указывается для генераторов при использовании в фазированной антенной решётке (ФАР) в качестве активного модуля и на него непосредственно может воздействовать СВЧ мощность постороннего источника. Поэтому превышение паспортного электрического режима даже кратковременно (доли секунды) может привести к пробою прибора.


Этим и обусловливается высокая отрицательная динамическая проводимость ЛПД в Trapatt-режиме. Лавинный ток часто называют индуктивнымхотя эквивалентная индуктивность сильно нелинейна. Отклонение от этого оптимального режима может привести к ухудшению параметров или даже к выходу прибора из строя. Принцип работы лавинно-пролетного диода рассмотрим на примере p+-n-n+ структуры. Следовательно, активная составляющая сопротивления диода R может быть отрицательной (рисунок 6.6). Рис. 6.6: Изменение отрицательного сопротивления в ЛПД Это обстоятельство и обеспечивает возможность, при определенных условиях, возникновению автоколебаний. При этом напряжённость электрического поля растет от n-n+-перехода к p+-n переходу, вблизи которого можно выделить тонкую область, в котором напряжённость превышает пробивное значение, и происходит лавинное размножение носителей.

Рассмотрим обратно смёщенный p–n-перехода (рисунок 6.1). Напряженность электрического поля E максимальна в плоскости x = 0 (плоскость технологического перехода). По мере увеличения внешнего обратного напряжения p–n-переход расширяется, и напряжённость электрического поля возрастает. Схематически механизм работы ЛПД можно представить следующим образом. Рабочей для лавинно-пролётного диода является область лавинного пробоя. Расстояние между импульсами равно времени пролета домена через рабочую область диода. Лавинно-пролетный диод может быть реализован в виде однопереходной \(p\)-\(n\)-структуры, представленной на рис. 2.8-16 (диод Тагера). Его особенностью является достаточно широкий и плавный переход между \(p\)- и \(n\)-областями. При переходе в импульсный режим КПД увеличивается в 2…3 раза.

Похожие записи: